In sede di presentazione dei risultati finanziari conseguiti nel terzo trimestre del 2025, il gigante coreano Samsung ha aggiornato gli investitori anche in relazione al proprio impegno nel comparto delle memorie di tipo HBM (High Bandwidth Memory).
In particolare, Samsung ha sottolineato che la memoria di tipo HBM3E, che è peraltro già nella fase di produzione in volumi, è destinata a ritagliarsi un ruolo di primo piano nell'ultimo trimestre del 2025 in virtù della forte domanda proveniente dai clienti che operano nel settore della produzione dei server convenzionali e dei server dedicati ad applicazioni AI.
Nel 2026, invece, Samsung ha intenzione di concentrare la proprio attenzione sulla produzione in volumi della memoria di tipo HBM4. E a tal proposito il chip maker ha ufficializzato che i primi sample di HBM4 sono stati già inviati ai clienti chiave.
In generale, la memoria HBM è in grado di offrire una banda superiore rispetto a quella ottenibile con le tecnologie DDR e G-DDR in virtù della sua architettura a stack che prevede la sovrapposizione di più die di memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory) gestiti da un unico controller HBM.
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