Le problematiche evidenziate da alcuni possessori degli smartphone iPhone 6 Plus di Apple equipaggiati con memoria interna da 128GB non possono essere messe in relazione con la tecnologia impiegata per la realizzazione dello storage interno, che può contare su memoria NAND flash di tipo TLC (Triple-Level Cell).
La smentita arriva da fonti vicine ai produttori taiwanesi di chip di memoria NAND flash, in accordo alle quali è improbabile che Apple abbia fatto ricorso a circuiti integrati di tipo NAND TLC per l'implementazione della memoria di massa dei suoi iPhone 6 Plus da 128GB (esclusivamente) per il conseguimento della riduzione dei costi di produzione.
L'impiego di tali chip, infatti, ha richiesto una rigorosa fase di testing che, da un lato, ha determinato un significativo impiego di risorse e, dall'altro, avrebbe intercettato in tempo utile i comportamenti anomali denunciati da alcuni utenti. Inoltre, l'impiego di moduli di NAND flash TLC semplifica la realizzazione dei package da 128GB (che includono 8 chip di NAND flash) rispetto a quelli di tipo MLC.
Ricordiamo che, nelle ultime due settimane circa, si sono diffusi on line dei report in accordo ai quali gli iPhone 6 Plus da 128GB possono manifestare fenomeni di instabilità, crash e reboot randomici in varie condizioni operative: alcune fonti (asiatiche) hanno in precedenza messo in relazione tali problematiche proprio con le memorie NAND flash TLC e i relativi memory controller.
La speculazione di cui vi abbiamo riferito oggi sembra voler smorzare i toni in favore delle memorie TLC, già penalizzate, rispetto a quelle di tipo SLC (Single-Level Cell) e MLC (Multi-Level Cell) dai benchmark che le presentano come le meno performanti sia in lettura che in scrittura.
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