Samsung ha comunicato di aver avviato la produzione in volume dei suoi chip di memoria V-NAND di tipo TLC di quinta generazione e caratterizzati da una capacità pari a 256Gb.
I nuovi chip di Samsung sono caratterizzati da una architettura che prevede l'utilizzo di 96 layer, ed è questa una specifica nettamente superiore a quella dei chip a 64 layer della generazione precedente.
I chip di memoria V-NAND di tipo TLC di quinta generazione firmati Samsung sono polarizzati con una tensione pari a 1.2V, sensibilmente inferiore al valore, pari a 1.8V, tipico della generazione precedente.
Inoltre, il tempo di risposta ai segnali di lettura è stato ridotto fino a 0.05ms mentre il tempo di scrittura è sceso a 0.5ms; inoltre la nuova interfaccia "Toggle DDR 4.0" garantisce un data rate pari a 1.4Gbps per la comunicazione tra gli SSD e la memoria centrale.
Collegamenti
